三星发现半导体材料新材料，可展现更好的电学性能

      三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。
      无定形氮化硼拥有无固定形状的分子结构，内部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯，后者也有硼原子、氮原子，不过是六边形结构，无定形氮化硼则与之截然不同。
      
      三星表示，无定形氮化硼是由白色石墨烯衍生而成的，其中包括以六角形结构排列的硼和氮原子，而a-BN的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别。
      非晶氮化硼具有1.78的同类最佳的超低介电常数，具有强大的电气和机械性能，可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰。
      该材料还可以在仅400°C的低温下以晶圆级生长。因此，这种新发现的材料有望广泛应用于半导体，例如DRAM，NAND解决方案，用于大型服务器的下一代存储解决方案。
      三星技术研究院(SAIT)一直在研究和开发二维(2D)材料-具有单原子层的晶体材料。它一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了开创性的研究成果。SAIT一直在努力加速材料的商业化。
      
      研究亮点：
      通过控制实验条件，得到了无定形状态的BN材料。
      这种无定形BN具有较好的热稳定性、机械稳定性，并且介电系数较低，符合将来对高性能半导体器件的要求。
      研究背景
      在电子学器件的发展过程中，电阻的增加和电容延迟是缩减电子学器件尺寸过程中降低电子学器件工作速度的主要原因。缩减连接处金属线连接的尺寸是降低器件尺寸的关键。相互连接的材料需要较低的介电常数用于阻碍金属向半导体中扩散的能垒，并且需要其具有热稳定性、化学稳定性、机械稳定性。the International Roadmap for Devices and Systems建议，到2028年材料的介电常数值需要低于2。目前有些材料的介电常数的数值能达到低于2，但是热稳定性、机械稳定性较低。
      拟解决或者拟探索的关键问题
      制备能应用于下一代电子学器件中的低介电常数、高稳定半导体材料。
      成果简介
      有鉴于此，剑桥大学Manish Chhowalla、三星高级技术研究所Hyeon-Jin Shin、国立蔚山科学技术院Hyeon Suk Shin等报道了具有超低介电常数的无定形氮化硼材料。通过控制反应条件，合成了3 nm厚的无定形BN，其介电常数在100 kHz和1MHz中分别低至1.78和1.16，击穿强度达到7.3 MV/cm。
      要点1：制备方法
      材料生长方法。通过低温远程电感耦合等离子体-化学气相沉积（ICP-CVD）方法在Si基底上进行生长，通过调节温度和plasma功率进行反应参数的优化，结果显示当在400 ℃和30 W plasma中进行生长，能获得介电常数较低的无定形BN材料。在高于该温度时，获得的BN为纳米晶体结构的BN。
      
      图1. 无定形BN样品材料合成平台（UNIST, SAIT, University of Cambridge, Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology）。
      
      图2. BN样品的扫描/透射表征。
      要点2：结构表征
      相关表征。通过透射电子显微镜方法未发现材料中长程有序，因此作者认为该材料为无定形状态。作者通过XPS表征发现B 1s和N 1s的原子比为1:1.08。通过角分辨近边X射线吸收精细结构NEXAFS测试了无定形BN材料，对1 s核层轨道中电子激发到空π*或σ*轨道的过程中情况进行测试，验证了该材料呈无定形状态。
      
      图3. BN样品的谱学表征。
      要点3：介电性能
      介电性能相关测试。通过对metal/BN/n-Si结构的器件进行电流密度-电压（J-V）、电容-频率（C-f）测试，考察了介电常数和击穿电压。通过在Si基底上沉积3 nm厚的无定形BN和TiN，并随后通过80 nm厚的Co进行包覆，通过在真空氛围中加热，考察了器件中的扩散现象。结果显示在苛刻的环境中BN层阻碍了Co金属向Si中的扩散作用，证明无定形BN具有优异的性能。作者对比了无定形BN和六方相BN。
      
      图4. 无定形BN介电性能。
      
      表1. 无定形/六方相BN性能比较
      小结
      这项研究结果表明无定形氮化硼具有超低介电常数。