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内存和存储解决方案领先供应商MicronTechnologyInc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已批量出货全球首款176层3DNAND闪存，一举刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的重大提升。美光全新的176层工艺与先进架构共同促成了此项重大突破，使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益，实现性能上的巨大提升。
美光技术与产品执行副总裁ScottDeBoer表示：“美光的176层NAND树立了闪存行业的新标杆，与最接近的竞争对手同类产品相比，堆叠层数多出近40%。结合美光的CMOS阵列下(CMOS-under-array)架构，该项技术帮助美光继续在成本方面保持行业领先优势。”
该款176层NAND产品采用美光第五代3DNAND技术和第二代替换栅极架构，是市场上最先进的NAND技术节点。与美光的上一代大容量3DNAND产品相比，176层NAND将数据读取和写入延迟缩短了35%以上，极大地提高了应用的性能。[对比数据基于美光大容量浮动栅极96层NAND。如对比128层替换栅极NAND，美光176层NAND产品的数据读取和写入延迟均降低25%以上。]美光的176层NAND采用紧凑型设计，裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近30%，是满足小尺寸应用需求的理想解决方案。
采用突破性技术，发挥闪存巨大潜力，服务多元化市场
美光执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示：“采用美光的176层NAND后，我们的客户将实现突破性的产品创新。我们将在广泛的产品组合中部署这项技术，在NAND应用的各个领域中实现价值，重点把握5G、人工智能、云和智能边缘领域的增长机会。”
美光176层NAND拥有全面设计和行业首屈一指的密度，应用广泛，在多个行业将不可或缺，包括移动设备存储、自动驾驶系统、车载信息娱乐以及客户端(PC)和数据中心的固态硬盘(SSD)。
美光176层NAND的服务质量(QoS[服务质量(QoS)特指SSD响应时间的稳定性和可预测性。])进一步提升,这对数据中心SSD的设计标准而言至关重要[与美光96层大容量浮动栅极NAND相比，服务质量提升来自于区块尺寸及读取延迟波动的缩减。]——它能更快应对数据密集型环境和工作负载，例如数据湖、人工智能(AI)引擎和大数据分析。对于5G智能手机而言，提升的QoS意味着多个应用程序启动和切换更加快速，带来流畅、反应迅速的移动体验，真正实现多任务处理和5G低延迟网络的充分利用。
在开放式NAND闪存接口(ONFI)总线上，美光第五代3DNAND也实现了行业领先的1600MT/秒最大数据传输速率，比此前提升了33%[提升数据来自与美光前两代3DNAND(96层NAND和128层NAND)最大数据传输速率1,200MT/s的对比。]。更快的ONFI速度意味着系统启动更迅速、应用程序性能更出众。在汽车应用中，这种速度将让车载系统在发动机启动后近乎即时地响应，从而为用户带来更好的体验。
美光正与业界开发者合作，将新产品快速应用到解决方案中。为了简化固件开发，美光176层NAND提供单流程(single-pass)写算法，使集成更为便捷，从而加快方案上市时间。
创新架构，实现出众的密度和成本优势
随着摩尔定律逐渐逼近极限，美光在3DNAND领域的创新对确保行业满足数据增长需求至关重要。为了实现这一目标，美光开创性地结合了堆栈式替换栅极架构、创新的电荷捕获技术和CMOS阵列下(CuA)[CMOS即互补金属氧化物半导体。]技术。美光的3DNAND专家团队利用专有的CuA技术取得了大幅进步，该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈，将更多内存集成封装在更紧凑的空间中，极大缩小了176层NAND的裸片尺寸，提升了单片晶圆的存储容量。
同时，美光还将NAND单元技术从传统的浮动栅极过渡到电荷捕获，提高了未来NAND的可扩展性和性能。除了电荷捕获技术，美光还采用了替换栅极架构，利用其中的高导电性金属字线[字线连接NAND内存阵列中每个存储元件的栅极，用于选择、编程和擦除NAND内存阵列中的内存单元组。]取代硅层，实现了出类拔萃的3DNAND性能。采用该技术后，美光将大幅度降低成本，继续领跑业界。
通过采用这些先进技术，美光提升了产品耐用度，这将使各种写入密集型应用特别受益，例如航空航天领域的黑匣子以及视频监控录像等。在移动设备存储中，176层NAND的替换栅极架构可将混合工作负载性能提高15%[该数据源自与采用96层浮动栅极NAND的美光上一代UFS3.1多芯片封装对比。]，从而支持超快速边缘计算、增强型人工智能推理以及图像显示细腻的实时多人游戏。
供应情况
美光176层三层单元(TLC)3DNAND已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付，包括通过其英睿达(Crucial)消费级SSD产品线。美光将在2021日历年推出基于该技术的更多新产品。
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