三星3nm及以下制程微缩层面技术细节曝光

       近日，在日本东京举办的ITF论坛上，与ASML合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程在微缩层面技术细节。
       目前，ASML在3nm、2nm、1nm甚至Sub 1nm都已经做出了清晰的路径规划，据了解，1nm时代的光刻机在体积方面将会增加不少。
      
       体积增加的主要原因是光学器件增大所致，洁净室指数也达到天花板。
       据悉，在台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，而在2nm后就需要更高分辨率的曝光设备，也就是NA=0.55。
       现在，ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计（NXE：5000系列），预计将会在2022年实现商业化。
       ASML目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE：3400B和TWINSCAN NXE：3400C，预计3600D计划在明年年中出货，其生产效率将会提升18%。