台积电三星3nm制程工艺研发均受阻

       2020年，台积电和三星这两大芯片代工商，均把芯片制程工艺提升至5nm，而且更先进的3nm制程也在计划中，不过，最近它们好像都遇到了一些麻烦。
      
       近日，产业链方面的最新消息显示，台积电和三星在3nm制程工艺的研发方面遇到了不同方面的关键技术瓶颈，研发进度不得不放慢。
       据台积电CEO魏哲家在财报分析师会议上透露，台积电的3nm制程工艺仍将会采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（FinFET）。而三星在3nm制程工艺方面将会采用环绕栅极晶体管技术（GAA）。
       不过，目前还不能确认台积电和三星在3nm制程工艺研发过程中遇到什么样的瓶颈，到底会对研发的进程造成怎样的影响。
       但是，台积电可能是由于“缺电”的原因，造成进程受阻。数据显示，先进制程机台用电量占台积电公司能源使用50%以上，同时考虑先进制程机台数量逐年增加，台积电对于电能的消耗将进一步快速增长。
       而对于台积电3nm工艺的产能，此前有报道称其准备了四波产能，第一步中大部分将留给多年的大客户苹果，后三波产能将会被高通、AMD、Intel等厂商预定。