版图ECO的那点事（下）

      MCMM的挑战
      通常，在芯片的后期，每一次的时需调整，都是谨小慎微的，基本原则就是稳稳当当的走好最后一公里，别处岔子。
      通常的FAB会提供多个PVT的库，同样，一颗芯片会有多种工作模式（在前文有描述：版图ECO的那点事（上））
      同样，还有来自extraction（寄生参数抽取）的一些区别。这样，用户可能会遇到如下的timing signoff组合拳挑战。
      以TSMC 40nm 的工艺举例：
      
      可以看到在一个模式和一个寄生参数抽取的前提下，有18个corner（支持DVFS的系统）之多，如果站看模式和寄生参数的区别，会更为复杂，示例如下：
      
      可以看到，总共有216（12*18）个MCMM需要完成，对于每一天，进行这么多的时序分析也不太现实。但是流片前的真正的时序签收还是一定要full-cover。通常，会把一些比较重要的setup/hold corner在每一天进行检查，例如下面视图：
      
      剩下的corner会在流片前的一两周做最后的全覆盖检查。最后面的ECO基本都是在和这些corner来战斗
      VT cell的妙用
   “ECO的时序信息通常是增量示的，除非你改变了绕线”，这个是需要在ECO后期阶段牢记的一点。这个时期的ECO就是手术刀操作，是时候体现你的微操能力了。
      对于一个数据库，经常会遇到在接近TO的ECO的迭代中，会冒出来一些和修复timing没有关系的微小的setup/hold violation，譬如：3ps的hold violation。这个大多是由于绕线的细微改变，而导致的时序变化。这个时候，VT cell就会派上用场。
      使用VT cell进行timng ECO的好处有三点：

• 省时间
• 省时间
• 省时间
  

      首先，时间是TO前最值钱的，要知道让FAB做一下hot或者super hot，也就能省一、两天的时间，但是费用基本都是翻倍！
      使用VT cell进行ECO，最大的方便时省略了ECO 绕线、寄生参数的抽取和STA的re-run。这三个步骤的时间是非常长的。有了VT cell的帮忙，这些时间统统可以省略。
      但是VT cell也不是万能的，有如下的一些考量：

• 对时序的影响非常微小：只有在violation 非常小的时候（譬如：10ps以内），才好用
• 对应VT cell的pin是兼容的，VT cell置换时候的任何size_up/size_down都不能省略绕线
  

      一个使用VT cell来修复hold violation的示例如下
     1. # hold_buf_1 original ref_name is: LVT_BUF_2
     2. size_cell hold_buf_1 HVT_BUF_2
      这个脚本把一个LVT cell换成一个同等大小的HVT cell，LVT cell的速度比较快，如果换做HVT cell，可以增加延迟，有可能解决hold 延迟。
      通过XOR，可以看到我们的LVT_BUF_2和HVT_BUF_2有如下的layer 区别，可以看到，VT cell 的替换时无需重绕线的：
      
      Metal fill 的影响
      先进工艺是需要fill的支持，来保证流片的物理需求，fill是基于绕线和布局的，言下之意就是如果绕线或者布局改变了，就需要重新跑fill。譬如：M4 和 M4 fill
      
      由于先进工艺的线距越来越近，之间的耦合电容的影响也越来越明显，所以在先进工艺，一定不能忽略fill对timing的影响，tape-out之前，一定要保证fill的信息完全和真实的数据库匹配，这样跑出来的timing才完整，可信。
      在寄生参数抽取的时候，需要使用下面的语句，否则你的fill是没法在timing signoff里边发挥自己的作用的：
      
   【敲黑板划重点】
      兼顾metal fill，corner 全覆盖以及VT cell的灵活使用，是ECO后期成功收敛的关键要素
      终于，历尽九九八十一难，趟过了十万八千里，在ECO的保驾护航中，终于看到了一句：Good Chip！
      每一个芯片都是一样的坚实，但每一款芯片都有说不尽道不完的ECO故事！我们的ECO三讲虽然告一段落了，但是国产之芯的路上，依然有无数的ECO等我们去完成。为了那颗心中的芯，一起努力，与君共勉之！